- Полярный координатный двухсторонний кремниевый детектор
- Двумерные фотодиодные матрицы
- Лавинные фотодиоды на кремниевой подложке
- Фрагмент сборки с микростриповым детектором (проект ATLAS, CERN)
- Стриповые детекторы для программы CMS (CERN)
- Микростриповые детекторы ядерного излучения с емкостным съемом сигнала (Fermilab)
- Мультипадовый детектор ядерного излучения
- Падовые детекторы ионизирующих излучений
- Микростриповые "edgeless" детекторы частиц для эксперимента TOTEM (CERN)
- Микростриповые детекторы с емкостным съемом сигнала (ускоритель в Протвино)
КРЕМНИЕВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ И ФОТОДИОДЫ
- Разработка и изготовление кремниевых детекторов ядерного и рентгеновского излучения для российских и международных экспериментов в области физики высоких энергий
- Разработка и изготовление быстродействующих p-i-n фотодиодов для радиометрии и спектрометрии
- Разработка и изготовление фотодиодных матриц
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
- Физика космических лучей;
- Физика высоких энергий;
- Ядерная физика;
- Медицина;
- Рентгеновский контроль грузов и багажа;
- Специальное применение.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Кремниевые стриповые детекторы для измерения потерь энергии, энергии, координаты ядерных частиц
| Параметры | |
| Чувствительная площадь, см2 | 0,1-40 |
| Толщина детектора, мкм | 200 - 1500 |
| Форма детектора | квадрат, прямоугольник, трапеция и др. по спецификации заказчика |
| Рабочее напряжение (до облучения), В | 60-600 |
| Количество стрипов | 16 - 1500 |
| Средний ток утечки, нА/см2 | 10 |
| Съем сигнала | прямой; с емкостной связью |
| Мода работы | работа при полном обеднении |
Кремниевые высокочувствительные фотодиоды и фотодиодные матрицы
| Спектральная характеристика | |
| Диапазон спектральной фоточувствительности, нм | 400 – 1050 |
| Длина волны L p для максимальной фоточувствительности, нм | 950 |
| Фоточувствительность при L = Lp, A/W | 0,5 |
|
Темновые токи: Фотодиоды, нА/см2 |
|
| (U = -120 B, S < 2 см2) | 1 - 3 |
| (U = -120 B, S до 5 см2) | 5 |
| Фотодиодные матрицы (ФДМ) рА/элемент мак., U = 10 mV |
до 8 |
|
Времена нарастания: |
|
| Фотодиоды | 2 - 5 нс |
| ФДМ | 0,5 - 1 мкс (r1 = 1кОм) |
|
Размеры: |
|
| Фотодиоды | активная площадь S = 0,1 - 5 см 2 квадратные, прямоугольные |
| ФДМ | 16-ти элементные, чувствительная площадь ~ 0,05 см2/элемент |
Кремниевые детекторы заряженных частиц с малыми токами утечки
| Параметры | |
| Активная площадь, S, см2 | 0,1 - 30 |
| Толщина активного слоя, мкм | 280 - 500 |
| Форма | квадрат, прямоугольник, круг |
| Рабочее напряжение, В | 60-120 (станд), до 300 В |
| Ток утечки, нА/см2 | 1 - 2 (S<=2 см2) 5 (S до 30 см2) |
| Толщина входного окна, нм | 20 (высокое разрешение) 40 (стандартное) |
| Применение | |
|
Физика высоких энергий |
|
Кремниевые быстродействующие фотодиоды с высокой чувствительностью
| Параметры | |
| Активная площадь, S, см2 | 0,1 - 5 |
| Толщина активного слоя, мкм | 280 - 500 |
| Форма | квадрат, прямоугольник, круг и др.по спецификации Заказчика |
| Рабочее напряжение, В | 60 - 120 (стан.), до 300 |
| Обратный ток, нА/см2 | 1 - 2 (S<=2 см2) 5 (S до 30 см2) |
| Время нарастания сигнала, нс | 2 |
| Время спада сигнала, нс | 2 |
| Спектральный диапазон измерения длин волн L, нм | 400 - 1050 |
| Квантовая эффективность (полная): | |
| L = 550 нм | 0,6 |
| L = 400 нм | 0,4 |